Pressemitteilung: GaN-Leistungselektronik für bidirektionales, einphasiges DC-Laden von Elektrofahrzeugen / Fraunhofer IAF präsentiert Innovationen bei der PCIM 2026 GaN-Leistungselektronik kombiniert Leistungs-, Effizienz- und Kostenvorteile und spielt für die Energiewende eine zentrale technologische Rolle. Im Rahmen der PCIM Expo & Conference 2026 präsentiert das Fraunhofer IAF vom 9. bis 11. Juni in Nürnberg neueste Entwicklungen im Bereich der GaN-Leistungselektronik – als Highlight den Demonstrator eines bidirektionalen, einphasigen 800-V-DC-Ladegeräts für E-Autos. Er wurde im Rahmen des BMWE-Projekts GaN4EmoBiL vom Projektpartner Ambibox entwickelt und enthält ein 1200-V-GaN-Modul des Fraunhofer IAF. Forschende des Fraunhofer-Instituts für Angewandte Festkörperphysik IAF haben im Rahmen des Projekts GaN4EmoBiL (»GaN-Leistungshalbleiter für Elektromobilität und Systemintegration durch bidirektionales Laden«) ein leistungselektronisches Modul auf Galliumnitrid-(GaN-)Basis für bidirektionale Gleichstrom-Ladesysteme (Direct Current, DC) der 800-V-Klasse entwickelt. Der Projektpartner Ambibox GmbH integrierte das Modul in den Demonstrator eines bidirektionalen, einphasigen Off-Board-Ladegeräts für elektrische Fahrzeuge. (....)